GaN 分立器件
峰值功率50W到700W； 工作頻率最高支持6GHz； 第三代化合物半導體工藝，效率更高、工作帶寬寬； 封裝材料自主開發設計，具有低成本、高氣密性、高熱導率、高良率。
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產品型號
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Min.?Freq.（MHz）
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Max.?Freq.
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VDD(V)
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Pavg(dBm)
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DE@Pavg
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Gain(dB)
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ACPR(dBc)
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Test?Freq.
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MP?Status
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Package
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Process
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HTH1D36P450H | 3400 | 3600 | 48 | 47.4 | 48.7 | 14.5 | -27 | 3500 | MP | ACC2110S-4L | GaN |
| HTH1D27P450H | 2500 | 2700 | 48 | 47.4 | 52 | 14.5 | -27 | 2600 | Q2/2022 | ACC2110S-4L | GaN |
| HTH1D09P700S | 758 | 960 | 48 | 50.5 | 65 | 18.2 | -26 | 780 | Q3/2022 | ACS2110S-4L | GaN |
| HTH1D21P700H | 2110 | 2170 | 48 | 50.5 | 57 | 15.5 | -25 | 2140 | Q2/2022 | ACS2110S-4L | GaN |
| HTH1D27P110P | 2500 | 2700 | 48 | 41.8 | 57.5 | 16 | -31 | 2600 | Q2/2022 | QFN7*6.5 | GaN |
